报告时间：2024年01月 13 日10：00
报告地点：科研楼402会议室
报告人：陆昊
报告人简介：
陆昊，现就读于中北大学半导体与物理学院，主要研究方向为铁电MEMS器件与系统。
铌酸锂单晶因其较高的居里温度和本征抗辐照性能，是理想的空间抗辐照传感器件的制备材料。基于单晶铌酸锂薄膜单轴自发极化的特性，其铁电畴壁易受外电场控制产生、移动、擦除等，纳米宽度的导电畴壁具有可调节电导率，使宽禁带半导体材料具有超高的开关比。与此同时，基于导电畴壁类二极管特性设计制备了可靠的逻辑“或”门；制得器件具有体积小、结构简单、抗辐照、环境适应性强，抗干扰能力强等优势。由于铁电畴尺寸小、开关比大，为畴壁电流型器件大规模集成的可编程逻辑电路提供了可靠的解决方法，在传感器、存储器、逻辑器件等微纳电子器件领域具有极高的潜在应用价值。
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