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学术报告:区别于传统散热的新型硅基片上冷却技术研究
发布日期:2022年10月20日 作者: 来源:

学术报告:区别于传统散热的新型硅基片上冷却技术研究

报告时间:2022年10月22日10:00

报告地点:科研楼402会议室

报告人:张亦弛  博士

 

报告人简介:张亦弛,博士,中北大学校任副教授,毕业于英国南安普顿大学,2019年进入北京理工大学电子科学与技术流动站,担任博士后研究人员,现入职于中北大学半导体与物理学院。致力于先进半导体制造工艺、新型片上集成三维冷却技术、声表面波器件开发与应用等领域的基础科学问题和关键技术研究。博士后期间参与了国家自然科学基金重大研究计划1项,获得2020年度博士后国际交流计划(引进项目第一批)项目资助。入职中北大学以来作为项目负责人或课题负责人申报了国家自然科学青年基金、国防基础科研计划一般项目;作为合作单位项目负责人协助申报了四川省重点研发计划重大项目。目前已在INT J THERM SCI、Thermal Science等期刊以第一作者发表SCI论文和会议论文6篇,授权专利1项。

 

片上散热是指将微型散热器件直接集成于芯片封装内部,从发热根源上解决散热问题的新型散热技术。然而最近研究提出的堆栈式封装工艺,如3D封装结构,由于层叠分布导致单位面积上逻辑器件产生的热流剧增,并且芯片之间的空间狭小,建立微型冷却系统面临巨大挑战。本次报告提出片上集成硅基微型三维冷却技术,通过先进微纳加工工艺并利用材料本身可直接集成于硅芯片背面的优势,在提高表面散热面积的同时提高了热传导效率,可以从发热根源上解决逻辑器件单位面积热量过高的问题。